Еще каких-нибудь десять лет назад, когда транзисторов было очень мало, буквально пять — десять типов, их нетрудно было знать наперечет. Разобраться же в нынешнем ассортименте полупроводниковых приборов уже не так просто. Чтобы облегчить эту задачу, можно прежде всего разделить все транзисторы на три группы малой мощности (наибольшая выходная мощность около 0,1 вт), средней мощности (около 0,5 вт) и большой (более 1,5 вт) мощности (рис. 93). Часто применяют еще более простое деление транзисторов: на мощные (2 вт и более) и маломощные (около 0,1 вт). На эти три или даже две группы можно разделить все многообразие транзисторов широкого применения.
Рис. 93. Все многообразие транзисторов можно разбить на несколько основных групп.
Внутри каждой группы целесообразно разделить транзисторы на низкочастотные (сплавные) и высокочастотные (диффузионные). И, наконец, для порядка следует ввести еще одно разделение транзисторов — в зависимости от их структуры (р-n-р или n-р-n) и исходного материала (германий или кремний). Как видите, получилось сравнительно небольшое число основных групп, и среди них четыре главные группы — маломощные транзисторы ВЧ и НЧ и мощные транзисторы ВЧ и НЧ. Это, конечно, грубое деление, не учитывающее многих важных показателей, однако же внутри каждой из четырех групп даже разные транзисторы очень часто могут заменять друг друга.
О принадлежности транзистора к той или иной основной группе говорит само его название (исключение составляют лишь довольно старые транзисторы, такие, как П4).
В названии транзисторов, разработанных до 1964 года, первая буква «П» происходит от слова «плоскостной» и относится ко всем без исключения транзисторам. Затем следуют цифры, значение которых указано в таблице 8. Пользуясь этой таблицей, можно, например, определить, что П403 — это маломощный германиевый высокочастотный (диффузионный) транзистор, П201 — мощный германиевый низкочастотный (сплавной) транзистор, П501 — маломощный кремниевый высокочастотный транзистор и т. д. Аналогично формируются названия приборов, созданных после 1964 года (таблица 9).
Таблица 8
Обозначения некоторых типов полупроводниковых приборов, выпускавшихся до 1964 года. (Для некоторых приборов, выпускаемых после 1964 года, и по сей день сохраняются старые обозначения.)
Первый элемент обозначения: буква Д — диоды, буква П (или МП) — транзисторы. Второй элемент — цифра, обозначающая конкретный тип прибора. Третий элемент обозначения — буква — разновидность приборов данного типа, имеющая некоторое отличие в параметрах. Ниже приведены значения некоторых цифр во втором элементе обозначения.
Диоды:
Точечные германиевые… от 1 до 100
Точечные кремниевые… от 101 до 200
Плоскостные кремниевые… от 201 до 300
Плоскостные германиевые… от 301 до 400
Стабилитроны… от 801 до 900
Варикапы… от 901 до 1000
Туннельные диоды… от 1001 до 1100
Транзисторы:
Маломощные германиевые низкочастотные… от 1 до 100
Маломощные кремниевые низкочастотные… от 101 до 200
Мощные германиевые низкочастотные… от 201 до 300
Мощные кремниевые низкочастотные… от 301 до 400
Маломощные германиевые высокочастотные… от 401 до 500
Маломощные кремниевые высокочастотные… от 501 до 600
Мощные германиевые высокочастотные… от 601 до 700
Таблица 9
Обозначения некоторых типов полупроводниковых приборов, выпускаемых после 1964 года
Первый элемент обозначения: буква Г (или цифра 1) — германиевый, буква К (или цифра 2) — кремниевый. Второй элемент обозначения: буква Д — диоды, Т — транзисторы, В — варикапы, А — диоды для сверхвысоких частот, Ф — фотоприборы, И — туннельные диоды, С — стабилитроны и т. д. Третий элемент обозначения — цифра — конкретный тип прибора. Четвертый элемент обозначения — буква — разновидность приборов данного типа, имеющая некоторые отличия в параметрах.
Значение некоторых цифр в третьем элементе обозначения:
Для диодов:
от 101 до 399 — выпрямительные диоды
от 401 до 499 — универсальные диоды
Для фотоприборов:
от 101 до 199 — фотодиоды
от 201 до 299 — фототранзисторы
Для туннельных диодов:
от 101 до 199 — усилительные
от 201 до 299 — генераторные
Для стабилитронов:
мощность до 0,3 вт, напряжение стабилизации 0,1–9,9 в — от 101 до 199
мощность до 0,3 вт, напряжение стабилизации 10–99 в — от 201 до 299
мощность до 5 вт, напряжение стабилизации 0,1–9,9 в — от 401 до 499
Для транзисторов:
малая мощность (до 0,3 вт), низкочастотные (до 3 Мгц) — от 101 до 199
малая мощность, среднечастотные (до 30 Мгц) — от 201 до 299
малая мощность, высокочастотные (до 300 Мгц) — от 301 до 399
средняя мощность (до 1,5 вт), низкочастотные — от 401 до 499
средняя мощность, среднечастотные — от 501 до 599
средняя мощность, высокочастотные — от 601 до 699
большая мощность (больше 1,5 вт), низкочастотные — от 701 до 799
большая мощность, среднечастотные — от 801 до 899
большая мощность, высокочастотные — от 901 до 999
Пользуясь приведенными в таблицах 8 и 9 «сотнями», можно по названию определить принадлежность прибора к той или иной основной группе. О различиях приборов внутри группы говорит конкретная цифра в названии прибора и следующая за ней одна из первых букв алфавита (А, Б, В и т. д.).
В названии транзисторов могут встречаться и некоторые еще не знакомые нам буквенные обозначения, характеризующие те или иные конструктивные особенности прибора. Так, например, буква «Э» в конце названия означает, что корпус транзистора сделан из алюминия. Буквы «МП» в начале названия (вместо «П») говорят о том, что соединение верхней части корпуса («колпачка») с его нижней частью («диском») осуществляется методом холодной сварки под давлением.
Корпус транзисторов с обозначением «П» герметизируется менее совершенным способом — электроконтактной сваркой. Никаких отличий в параметрах транзисторов с обозначением «П» и «МП» не существует — транзистор МП41, например, полностью соответствует транзистору П41.
Данные некоторых типов транзисторов приведены в таблице 10. В этой таблице вы найдете предельно допустимые режимы (коллекторный ток Iк, напряжение Uэк между эмиттером и коллектором и мощность рассеивания на коллекторе Рк), которые превышать нельзя. Напряжение на коллекторе указано в таблицах со знаками «+» или «—». Это еще одно напоминание о полярности напряжения и направлении токов в транзисторах с разной структурой (рис. 94).
Рис. 94. Транзисторы разной структуры питаются напряжениями различной полярности.
На коллекторе транзистора р-n-р должен быть «минус», на коллекторе транзистора n-р-n — «плюс»; транзистор р-n-р отпирается «минусом» на базе, а запирается «плюсом»; транзистор n-р-n наоборот — отпирается «плюсом» и запирается «минусом»; в транзисторе р-n-р ток идет от эмиттера через базу к коллектору (именно так движутся дырки), а в транзисторах n-р-n — от коллектора через базу к эмиттеру (не забудьте, речь идет только об условном направлении тока, о том, как нужно «водить пальцем» по схеме; см. стр. 142).
